金属薄膜的电阻均匀性对于确保元件性能至关重要，大多数金属薄膜都可以通过4PP和EC进行测量。EC推荐用于较厚的高导电金属膜，4PP适用于较薄的金属膜(> 10Ω/sq)，但无论如何，4PP/EC均表现出极高相关性，从而可以确保使用任何一种方法都可以获得准确的结果。R50电阻分布图可以表征薄膜均匀性、沉积质量及其它工艺波动。这张2μm AlCu薄膜的EC分布图表征了一个偏心沉积并给出了量化结果。

4PP法是衡量离子注入工艺的标准测量技术。在热退火后通过测试离子注入分布可以识别由于灯故障、晶圆/平台接触不良或注入剂量变化而引起的热点和冷点。对于硅离子注入层，热退火工艺对于活化掺杂离子是必要的。在右侧的示例中，三个红色（高电阻）区域表示了在离子注入退火工艺过程中热损失最大的位置，对应三个晶圆支撑位置。温度均匀性对于退火工艺至关重要，其中晶圆边缘和支撑接触区域的热损失对于均匀性调控是一个巨大的挑战。

通过采集的晶圆数据，R50可以绘制出方阻、薄膜厚度或电阻率分布图。通过材料的电阻率，可以计算和显示膜厚分布；或者通过膜厚数据，则可以计算电阻率分布。

RSMapper软件将数据采集和强大的分析功能结合在一起，拥有直观的可视化界面，即可以用于设备本身，也可以进行离线使用。软件自带的各种坐标布局工具可以帮助用户轻松设置数据测量点。如图所示，RSMapper可以通过2D或3D形式显示测量结果，对关键的薄膜均匀性数据实现快速可视化展示。该软件可以轻松地在各个测量参数分布图和可旋转的3D图之间切换，以提供最优的自定义工艺参数视图。无论是测量方阻、电阻率还是金属膜厚，RSMapper都能提供令人叹服的视图数据。